CMOS模拟与混合信号集成电路设计:创新与实战
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3.3 CMOS运算放大器的信号通路

信号路径被认为是从输入到输出的信号流路径,信号路径可以被用来分析频率响应、稳定性等特性。

3.3.1 整体信号路径

图3.5显示了信号路径,箭头指示“信号相位”。电路是增益为1的折叠共源共栅,可以降低高频时的米勒效应。从图3.5可以看出,输出信号是输入信号发生180度相移后的信号。

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图3.5 CMOS放大器的信号路径(基于图3.1)

由于标准CS放大器具有高增益,因此,米勒效应将增加总输入电容。输出和输入之间的任何电容都可以看作是接地输入端乘以(1+增益)的电容。

3.3.2 负载

有源负载基本上有两种类型:二极管连接的MOS或电流源MOS。

图3.6显示了以电流源为负载的输出级。图3.7显示了有源负载和M1的IV特性曲线。由于有源负载的VGS是固定的,因此只有一条曲线。

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图3.6 CMOS放大器的输出级

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图3.7 有源负载的IV特性曲线(图a)和M1的IV特性曲线(图b)

电流源负载小信号电阻值为ro=1/λID,其中ID为漏极电流。二极管连接的负载小信号电阻为1/gm。低频或直流(DC)增益为:

AV=gmn(roM16∥rocasp)gM17(roM18∥roM17

(3.3)

典型的负载问题为:

  • 缓冲区配置是对不稳定性的严峻考验(需要使用更大的补偿电容)。
  • 无法驱动小的负载电阻。

输出电阻和电容通常会影响输出级。f3dB主极点为:

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此时,特征频率为:

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增益增强技术(例如调节漏极节点)可以增加输出电阻,可用于增加增益[1]

极点类似于简单的RC极点,每个节点都会产生一个极点。

3.3.3 共源共栅电流源

图3.8显示了共源共栅电流源。底端器件(M2和M4)的尺寸设置成使栅极电压具有共源共栅偏置所需的值。顶端器件(M1和M3)的宽度应足够大,以在其源极电位和底部器件的电位之间留出适当的余量。

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图3.8 共源共栅电流源

3.3.4 示例

图3.9显示了使用简单电流源作为负载的放大器。图3.10~图3.12显示了以简单电流源作为负载的放大器的仿真结果。图3.13显示了使用共源共栅电流源作为负载的放大器。

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图3.9 简单电流源作为负载的放大器

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图3.10 输出阻抗

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图3.11 输出电压

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图3.12 M2和M3的漏极电流

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图3.13 共源共栅电流源作为负载的放大器

图3.14描述了放大器仿真时的输出阻抗,该输出阻抗高于简单电流源的输出阻抗。

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图3.14 共源共栅负载的输出阻抗

如果差分放大器是信号的单端驱动(瞬态),则两个输出的输出电流有时会不同。对于当前电流源ISS,M1和M2都扮演着重要的角色。